据科技日报，记者10日从南京大学获悉，该校类脑智能科技研究中心研究团队提出了一种高精度模拟存内计算方案，并以此为基础，研发出一款基于互补金属氧化物半导体工艺的模拟存算一体芯片。测试数据表明，该芯片创下了模拟存内计算领域的最高精度纪录。相关成果近日刊发于国际学术期刊《科学·进展》。
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据科技日报，记者10日从南京大学获悉，该校类脑智能科技研究中心研究团队提出了一种高精度模拟存内计算方案，并以此为基础，研发出一款基于互补金属氧化物半导体工艺的模拟存算一体芯片。测试数据表明，该芯片创下了模拟存内计算领域的最高精度纪录。相关成果近日刊发于国际学术期刊《科学·进展》。
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